Large area plasma source technology
Neutral beam and atomic layer etching technology
High selective etching of STT-MRAM materials
Nano scale high aspect ratio contact hole etching
Atmospheric pressure plasma technology
Graphene electronics
Development of sub 10 nm 3-D
학력
Hanyang University: B.S. in Metallurgical Engineering (1977-1981)
Seoul National University: M.S. in Materials Engineering (1981-1983)
University of Illinois at Urbana-Champaign, USA: Ph.D. in Electronic Materials Engineering (1984-1989)
약력/경력
University of Illinois at Urbana-Champaign, Research Assistant (1984-1989)
Institute of Semiconductors in Tektronix Inc. USA, Process Engineer (1989-1991)
Institute of Semiconductors in TDK Corporation (SSI Inc.), USA, Senior Engineer (1991-1992)
School of Advanced Materials Science and Engineering, SKKU, Professor (1992-Present)
학술지 논문
(2023)
Three-Dimensional Surface Treatment of MoS2 Using BCl3 Plasma-Derived Radicals.
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES.
15,
39
(2023)
Surface hardening of extreme ultraviolet(EUV) photoresist by CS2 plasma for highly selective and low damage patterning.
APPLIED SURFACE SCIENCE.
629,
157439
(2023)
Highly selective etching of SiNx over SiO2 using ClF3/Cl2 remote plasma.
NANOTECHNOLOGY.
34,
46
(2023)
Characterization of SiO2 Plasma Etching with Perfluorocarbon (C4F8 and C6F6) and Hydrofluorocarbon (CHF3 and C4H2F6) Precursors for the Greenhouse Gas Emissions Reduction.
MATERIALS.
16,
16
(2023)
Characteristics of high aspect ratio SiO2 etching using C4H2F6 isomers.
APPLIED SURFACE SCIENCE.
639,
158190
(2023)
Selective isotropic etching of SiO2 over Si3N4 using NF3/H2 remote plasma and methanol vapor.
SCIENTIFIC REPORTS.
13,
11599
(2023)
Asynchronously Pulsed Plasma for High Aspect Ratio Nanoscale Si Trench Etch Process.
ACS APPLIED NANO MATERIALS.
xxxx,
xxx
(2023)
Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Silicon Nitride for Two Different Aminosilane Precursors Using Very High Frequency (162 MHz) Plasma Source.
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES.
XXXX,
XXX
(2023)
Etched characteristics of nanoscale TiO2 using C4F8-based and BCl3-based gases.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING.
164,
107617
(2023)
High-throughput manufacturing of epitaxial membranes from a single wafer by 2D materials-based layer transfer process.
NATURE NANOTECHNOLOGY.
18,
5
(2023)
Effect of various pulse plasma techniques on TiO2 etching for metalens formation.
VACUUM.
212,
111978
(2023)
Study on etch characteristics of magnetic tunnel junction materials using rf-biased H2 / NH3 reactive ion beam.
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A.
41,
3
(2023)
Indium tin oxide etch characteristics using CxH2x+2(x=1,2,3)/Ar.
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING.
160,
-
(2023)
Non-epitaxial single-crystal 2D material growth by geometric confinement.
NATURE.
614,
-
(2022)
Atomic layer etching of Sn by surface modification with H and Cl radicals.
NANOTECHNOLOGY.
34,
3
(2022)
Low temperature silicon nitride grown by very high frequency (VHF,162 MHz) plasma enhanced atomic layer deposition with floating multi-tile electrode.
SURFACES AND INTERFACES.
33,
102219
(2022)
Surface Engineering of TMDs by Modulation of Top Chalcogen Atoms: For Electrical Contact and Chemical Doping.
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS.
X,
X
(2022)
Etch Characteristics of Low-K Materials Using CF3I/C4F8/Ar/O2 Inductively Coupled Plasmas.
SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS.
14,
-
(2022)
Effect of Hydrofluorocarbon Structure of C3H2F6 Isomers on High Aspect Ratio Etching of Silicon Oxide.
APPLIED SURFACE SCIENCE.
600,
30
(2022)
Effect of different pulse modes during Cl2/Ar inductively coupled plasma etching on the characteristics of nanoscale silicon trench formation.
APPLIED SURFACE SCIENCE.
596,
단행본
(2012)
소재기술백서 2011.
라이온문화사.
주저자
(2011)
Plasma Processing of Nanomaterials -CHPATER 7 Atmospheric Plasmas for Carbon Nanotubes (CNTs).
CRC Press Taylor & Francis Group.
공동
(2011)
Handbook of Visual Display Technology.
Springer Science+Business Media.
주저자
(2005)
플라즈마 식각기술 (Plasma Etching Technology).
문운당.
단독
특허/프로그램
반도체 식각 공정.
10-2019-0137982.
20201006.
대한민국
주파수 중첩 플라즈마 소스 디자인.
16/275,523.
20200922.
미국
원자층 식각 장치.
10-2018-0109632.
20200703.
대한민국
그래핀을 이용한 금속 방열판 및 제조방법.
10-2018-0048525.
20200407.
대한민국
원자층식각 공정을 이용한 전이금속 디칼코게나이드 화합물 기반 나노 헤테로 접합 소자.
16/050,063.
20200317.
미국
비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법.
10-2017-0057884.
20190801.
대한민국
이온빔 식각 장치.
10-2017-0095219.
20190110.
대한민국
플라즈마 소스 및 이를 이용한 플라즈마 발생장치.
10-2017-0134023.
20181219.
대한민국
플라즈마 프레스 장치 및 이를 이용한 접합방법(PLASMA PRESSING DEVICE AND JUNCTION METHOD USING THE SAME).
10-2017-0054935.
20181031.
대한민국
플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치.
10-2018-0018622.
20181029.
대한민국
반도체 소자, 광전 소자, 및 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법.
10-2017-0097527.
20180424.
대한민국
블록 공중합체의 표면 경화 방법.
10-2015-0180844.
20180323.
대한민국
프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조 방법 및 이로부터 제조된 다층 그래핀(METHOD FOR MANUFACTURING GRAPHENE USING PRE-DOPING AND MULTY-LAYER GRAPHENE MANUFACTURED BY THE SAME).
10-2015-0158376.
20171110.
대한민국
접촉저항을 이용한 나노용접 방법(NANO-WELDING METHOD USING RESISTIVE HEATING).
10-2015-0119461.
20170920.
대한민국
그라핀 원자층 식각 공정 기술
METHOD FOR ETCHING ATOMIC LAYER OF GRAPHENE.
14/161,050.
20160126.
미국
플라즈마의 생성영역을 조절할 수 있는 대면적 플라즈마 발생장치{LARGE
SCALE PLASMA GENERATING APPARATUS FOR ADJUSTING PLASMA GENERATION REGION}.
10-2014-0095984.
20151109.
대한민국
스퍼터율 향상을 위한 유도 결합형 플라즈마 소스 및 이를 사용하는 스퍼터링 장치.
10-2013-0143834.
20150923.
대한민국
Mild beam 을 이용한 저손상 플라즈마 처리방법
저손상 플라즈마 처리 장치{LOW-DAMAGE PLASMA PROCESSING APPARATUS}.
10-2014-0134751.
20150818.
대한민국
반응성 이온빔 펄스를 이용한 ＭＲＡＭ 물질 식각 방법{METHOD FOR ETCHING
MRAM MATERIAL USING REACTIVE ION BEAM PULSE}.
10-2014-0041935.
20150611.
대한민국
멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치 및 플라스마 발생 방법.
10-2012-0119405.
20141112.
대한민국
수상/공훈
2000 / Citation Classic Award / ISI Thomspon
2003 / 공로상 / 나노특화 Fab Center 유치
2003 / 삼성전자 사장상 / 공적상
2004 / 나노연구혁신 금상 / 나노기술협의회
2004 / 학술상 / 성균학술상
2005 / SKKU Fellow / SKKU Fellow
2006 / SEMI (세계반도체장비재료협회)회장상 / SEMI STS 감사패
2007 / 한국마이크로전자 및 패키징학회
2007 추계 학술대회 최우수포스터
2008 / KAATS
2007년 최우수논문상
2009 / 공로상 / 나노코리아 공로상, 2009년 8월, 나노코리아
2009 / 성균 excellent professor상, 2009년 /성균관대학교 교수상
2010 / 성균관대학교 공과대학 전임교원 및 훌륭한 공대 교수상 / 성균관대학교 교수상
2011 / 성균관대학교 공과대학 전임교원 및 훌륭한 공대 교수상 / 성균관대학교 교수상
2011 / 한국반도체산업협회장상 / 공적상
2012 / 사단법인 한국재료학회 학술상 / 사단법인 한국재료학회
2015 / 학술상 / 한국진공학회 학술상
학술회의논문
(2022)
VHF Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of SiNx.
PACSURF 2022.
미국
(2022)
Effect of Bias Pulsed VHF Plasma for Gap-Filling of Silicon Dioxide in High Aspect Ratio Structures.
DPS 2022.
일본
(2022)
Effect of CxHyFz Chemical Structure on the Etch Characteristics of High Aspect Ratio Contact.
DPS 2022.
일본
(2022)
Effect of CxHyFz Isomer Branch Structure on High Aspect Ratio Etching.
DPS 2022.
일본
(2022)
Effect of Various Pulse Plasma Techniques on TiO2 Etching.
DPS 2022.
일본
(2022)
Atomic Layer Etching of Sn Using H2/Cl2 RadicaL.
KISM 2022.
대한민국
(2022)
Atomic Layer Modification/Etching of 2-Dimensional MoS2 Semiconductor.
KISM 2022.
대한민국
(2022)
Characteristics of Silicon Nitride Deposited by Very High Frequency (162 MHz)-Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition Using Di(isopropylamino)silane and N2 Plasma.
KISM 2022.
대한민국
(2022)
Cyclic Isotropic Etching of PdSe2.
KISM 2022.
대한민국
(2022)
Etch Characteristics of Magnetic Tunnel Junction Materials Using Reactive Ion Beam Etching without a Neutralize.
KISM 2022.
대한민국
(2022)
High Aspect Ratio Contact Etching Using CxH2F6.
KISM 2022.
대한민국
(2022)
Improved Aspect Ratio Dependent Etching of Nanoscale Si Trench by Using Asynchronously Pulsed Plasma.
KISM 2022.
대한민국
(2022)
Characteristics of Low Temperature Deposited SiO2 Film based on Very High Frequency Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition with Substrate Bias.
AVS 68.
미국
(2022)
Sio2 Bottom-Up Trench Fill of a High Aspect Ratio Hole by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition Using a Very High Frequency Plasmas and Inhibitor Surface Treatment.
AVS 68.
미국
(2022)
Effect of C4H2F6 Isomers on the Etch Characteristics of SiO2.
AVS 68.
미국
(2022)
Reduction of EUV Resist Damage by using Neutral Beam Etching.
AVS 68.
미국
(2022)
Selective Cyclic Etching of Silicon Oxide Over Silicon Nitride Using NF3/H2 Remote Plasma and NH3.
AVS 68.
미국
(2022)
Selective Etching of Silicon Nitride with Remote ClF3/H2 Plasma.
AVS 68.
미국
(2022)
Control of Radical/Ion Flux Ratio of Reactive Ion Beam Etching (RIBE) using Dual Exhaust system.
IVC 22.
일본
(2022)
Graphene Layer Control on SrTiO3 for High-Quality Epilayer Growth.
IVC 22.
일본
전시/발표회
(2008)
프론티어 성과 대전.
대한민국,
(2008)
열린보고회.
대한민국,
(2008)
나노 코리아 2008.
대한민국,
(2008)
NANO TECH2008(일본) 나노 기술 전시회.
일본,
(2007)
3단계 2차년도 2차 경쟁력강화 워크샵.
대한민국,
(2007)
2007 미래성장등록 전시회 참가.
대한민국,
(2007)
해외석학 초청강연 및 열린보고회.
대한민국,
(2007)
NANO KOREA 2007.
대한민국,
(2007)
테라급나노소자개발사업단 3단계 2차년도 참여연구원 워크샵.
대한민국,
(2006)
2006 테라급나노소자개발사업단해외석학 초청강연 및 열린 보고회.
대한민국,
(2006)
The 2nd Workshop on the Emerging Technologies of Semiconductor.
대한민국,
(2006)
FutureTech Korea 2006제2회 미래 성장동력연구성과 전시회.
대한민국,
(2006)
NANO KOREA 2006.
대한민국,
(2006)
2006 국가지정연구실(NRL) 연구성과 전시회.
대한민국,
(2006)
21세기 프론티어연구개발사업 3단계 1차년도 참여연구원 Workshop.
대한민국,
